基本参数 漏极电流, Id 最大值：9A 电压, Vds 最大：200V 开态电阻, Rds(on)：0.4ohm 电压 @ Rds测量：10V 电压, Vgs 最高：3V 功率, Pd：100W 封装类型, 替代：SOT-78B 引脚节距：2.54mm 时间, trr 典型值：170ns 晶体管数：1 晶体管类型：MOSFET 满功率温度：25°C 电容值, Ciss 典型值：540pF 电流, Idm 脉冲：36A 表面安装器件：通孔安装 针脚格式：1G 2+插口 D 3S 阈值电压, Vgs th 最低：2V 阈值电压, Vgs th 最高：4V。 扩展资料 IRF630的晶体管极性是N
漏极电流, Id 最大值：9A电压, Vds 最大：200V开态电阻, Rds(on)：0.4ohm电压 @ Rds测量：10V电压, Vgs 最高：3V功率, Pd：100W封装类型, 替代：SOT-78B引脚节距：2.54mm时间, trr 典型值：170ns晶体管数：1晶体管类型：MOSFET满功率温度：25°C电容值, Ciss 典型值：540pF电流, Idm 脉冲：36A表面安装器件：通孔安装针脚格式：1G 2+插口 D 3S阈值电压, Vgs th 最低：2V阈值电压, Vgs th 最高：4V
